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碳化硅的电阻率测试

更新时间:2024-11-09&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;浏览次数:1366

碳化硅半导体材料属Ⅳ族化合物半导体。为共价键晶体,有闪锌矿型和铅锌矿型两种结晶形式。?碳化硅的电阻率范围?通常在0.005Ω·肠尘到200Ω·肠尘之间。?

测量方法

?非接触涡流法?是一种常用的测量导电碳化硅单晶片电阻率的方法。这种方法适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片,能够测量电阻率在0.005Ω·cm到200Ω·cm和表面电阻在0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围内的样品。

影响因素

碳化硅的电阻率受其纯度和杂质含量的影响。纯度越高,杂质含量越少,电阻率越高。此外,碳化硅的制备方法和处理过程也会对其电阻率产生影响。例如,不同的制备方法可能导致碳化硅的晶体结构和缺陷不同,从而影响其电学性能。


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