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半绝缘碳化硅的方阻、电阻率范围通常在10?—10¹²Ω·肠尘之间,具体数值取决于材料纯度、掺杂工艺及测量方法。以下是关键信息:电阻率范围标准范围:10?—10¹²Ω·肠尘(直径50.8—200尘尘、厚度250—5000μ尘的半绝缘碳化硅单晶片)
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更新时间:2025-11-22
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半绝缘碳化硅的方阻、电阻率范围通常在10?—10??Ω·肠尘之间,具体数值取决于材料纯度、掺杂工艺及测量方法。以下是关键信息:电阻率范围标准范围:10?—10??Ω·肠尘(直径50.8—200尘尘、厚度250—5000μ尘的半绝缘碳化硅单晶片.随着第三代半导体碳化硅在5G通信、GaN HEMT器件等领域的广泛应用,行业对材料性能检测的统一性需求日益突出。该标准的制定解决了原有测试方法不统一的问题,为研发、生产及应用环节提供了规范化技术支撑.
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