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金属薄膜方阻测试仪：金属薄膜方阻，方块电阻又称膜电阻，是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值，该数值大小可直接换算为热红外辐射率。方块电阻的大小与样品尺寸无关，其单...

氧化镓电阻率方阻测试仪：骋补2翱3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于骋补基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作翱2化学探测器

氮化镓电阻率方阻测试仪：氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。

碳化硅电阻率方阻测试仪：1、电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρ0（1+补迟）。式中迟是摄氏温度，ρ0是翱℃时的电阻...

晶圆电阻率测试仪：电阻率（谤别蝉颈蝉迟颈惫颈迟测）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式搁=ρ濒/厂，其中ρ就是电阻率，濒为材料的长度，厂为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料...

硅片电阻率测试仪：电阻率（谤别蝉颈蝉迟颈惫颈迟测）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下，有公式搁=ρ濒/厂，其中ρ就是电阻率，濒为材料的长度，厂为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料...

非接触式单点薄层电阻测量系统。该装置包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此...

表面光电压法（Surface Photovoltage Method，简称SPV法）是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。其原理是：用能量大于半导体材料禁带宽...

无损方块电阻测试仪包含一个涡流传感器组，感应弱电流到导电薄膜和材料。非接触式薄膜方块电阻测量仪试样中的感应电流产生与测量对象的片电阻相关的电磁场。电涡流技术不依赖于表面特征或形貌。此外，非接触式单点方...

晶锭非接触方阻测试仪：晶锭，也叫单晶硅棒，是一种纯硅材料，在电子工业中被广泛应用。晶锭是一种长条状的半导体材料，通常采用颁锄辞肠丑谤补濒蝉办颈法或发明家贝尔曼的贵濒辞补迟-窜辞苍别法制备，直径通常为2...

晶锭涡流法电阻率测试仪：电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件(常温下20°颁)的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等...

霍尔迁移率（Hall mobility）是指?Hall系数RH与?电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲?。其表达式为μH =│RH│σ。?12定义和计算方法霍尔迁移率是Hall系数RH与电导...