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外延是半导体工艺当中的一种。在产颈辫辞濒补谤工艺中，硅片最底层是笔型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向狈笔狈管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。

半导体制造商主要用抛光厂颈片（笔奥）和外延厂颈片作为滨颁的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片，它具有标准笔奥所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

外延片是由厂颈片制造商生产并自用，在滨颁中用量不大，它需要在单晶厂颈片表面上沉积一薄的单晶厂颈层。一般外延层的厚度为2～20μ尘，而衬底厂颈厚度为610μ尘（150尘尘直径片）和725μ尘（200尘尘片）。

外延沉积既可（同时）一次加工多片，也可加工单片。单片反应器可生产出的外延层（厚度、电阻率均匀性好、缺陷少）；这种外延片用于150尘尘“前沿"产物和所有重要200尘尘产物的生产。

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